電漿的應用

● 碳氫鍵（C-H）是最常見的一種化學鍵，比如在石油和塑膠中，三分之二的化學鍵是碳氫鍵。
● 氧電漿清潔原理：離子化的氧原子被轟擊到樣品上，導致氧和有機材料之間發生反應。

電漿清潔應用

電漿清洗技術的最大特點是不分處理對象的基材類型，均可進行處理，對金屬、半導體、氧化物和大多數高分子材料都能很好地處理，並可實現整體和局部以及複雜結構的清洗。正確的電漿清洗不會在表面產生損傷層，表面質量得到保證；由於是在真空中進行，不污染環境，保證清洗表面不被二次污染。

電漿表面處理，從而提高焊線強度，降低電路故障的可能性，並且如果殘餘感光阻劑、樹脂、溶液殘渣等有機污染物暴露在產品表面或接口間隙中，可在短時間內用電漿清洗機清除。

利用電漿技術對材料進行表面處理，在高速高能量的電漿的轟擊下，這些材料結構表面得以最大化，同時在材料表面形成一個活性層，這樣橡膠、塑膠就能夠進行印刷、粘合、塗覆等操作。套用電漿技術對橡塑表面處理，其操作簡單，處理前後沒有有害物質產生，處理效果好，效率高，運行成本低。

電漿除膠渣(Desmear)

在PCB的機械鑽孔或雷射燒孔時會產生高溫熔融並形成膠渣，此膠渣會附著於內層銅邊緣及孔璧區，最造成後續鍍銅時接觸不良，所以在鍍銅前必須先進行除膠渣(Desmear)作業。

電漿灰化(ashing)

電漿灰化製程對於碳氫化合物有良好的分解效果，灰化的主要應用是在蝕刻製程中光阻層完全去除。

● 光阻(PR)蝕刻後去除表面殘留物
● 樹酯(PI)蝕刻後去除表面殘留物
● 光阻(PR)剝離後去除表面殘留物
● 樹酯(PI)剝離後去除表面殘留物
● 透過氧化鎳防止水氣侵蝕焊接點
● 製程前先透過N2電漿處理PI表面，改善附著力並增加其表面粗糙度

電漿蝕刻(plasma etching)

乾式蝕刻技術 – RIE & ICP 系統

反應離子蝕刻(RIE)

電容式 RIE – 低電漿密度

• ● Ne ≈ 109 (electron/cm3)
• ● 解離率 ≈ 10-7

電感耦合等離子體(ICP)蝕刻

電感式RIE – 高電漿密度

• ● Ne ≈ 1013 (electron/cm3)
• ● 解離率 ≈ 10-3